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电子元器件详细资料 » IC[92] » MVGSF1N02LT1G
型号:MVGSF1N02LT1G类别:FET - 单制造商:ON Semiconductor
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3描述:MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23-3

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23-3
系列-
制造商ON Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C750mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C90 毫欧 @ 1.2A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.4V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs-
输入电容(Ciss)0a0Vds125pF @ 5V
功率_最大400mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
包装带卷 (TR)

供应商

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MVGSF1N02LT1G相关型号

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